FDB8132_F085
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDB8132_F085 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 341W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14100pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 13V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
FDB8132_F085 Einzelheiten PDF [English] | FDB8132_F085 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
FDB8160_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDB8441_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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